Defektfria skivor (”wafers”) av kiselkarbid (SiC) är något av en helig graal för tillverkare av SiC-enheter med hög effekt. Kisabs nya, patenterade tillväxtteknik har fått namnet Fast Sublimation Growth Process. Den minimerar defekterna på skivorna så att kunderna kan bygga större enheter och öka sin produktionsavkastning. SiC-marknaden är redo för en snabb tillväxt där efterfrågan drivs av elbilar, smarta elnät, solceller och liknande tillämpningar.

www.kisab.com